產品詳情
  • 產品名稱:Bridgman晶體生長爐

  • 產品型號:CY-OTF-1200X-S-VT-BMGH
  • 產品廠商:发彩网科儀
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簡單介紹:
CY-OTF-1200X-S-VT-BMGH是一款小型的1100℃Bridgman晶體生長爐,配有2英寸的石英管,精密提拉機。用於在氣氛保護環境下或密封石英坩堝環境下生長小尺寸的晶體。Bridgman晶體生長爐通常采用管式結構,為3個區域(加熱區、梯度區和冷卻區)。
詳情介紹:

CY-OTF-1200X-S-VT-BMGH是一款小型的1100℃布裏奇曼單晶生長爐,配有2英寸的石英管,精密提拉機。用於在氣氛保護環境下或密封石英坩堝環境下生長小尺寸的晶體 

Bridgeman法晶體生長過程

把晶體生長的原料裝入合適的容器中,在具有單向溫度梯度的Bridgman晶體生長爐內進行生長。Bridgman晶體生長爐通常采用管式結構,為3個區域(加熱區、梯度區和冷卻區)。加熱區的溫度高於晶體的熔點,冷卻區低於晶體熔點,梯度區的溫度逐漸由加熱區溫度過渡到冷卻區溫度,形成一維的溫度梯度。首先將坩堝置於加熱區進行熔化,並在一定的過熱度下恒溫一段時間,獲得均勻的過熱熔體。然後通過爐體的運動或坩堝的移動使坩堝由加熱區穿過梯度區向冷卻區運動。坩堝進入梯度區後熔體發生定向冷卻,首先達到低於熔點溫度的部分發生結晶,並隨著坩堝的連續運動而冷卻,結晶界麵沿著與其運動相反的方向定向生長,實現晶體生長過程的連續進行。

 

圖1 Bridgman法晶體生長的基本原理

(a)基本結構;            (b)溫度分布。

 

Bridgman法晶體生長一般分為:

垂直Bridgman法

圖1.所示)坩堝軸線與重力場方向平行,高溫區在上方,低溫區在下方,坩堝從上向下移動,實現晶體生長。該方法是*常見的Bridgman法,稱為垂直Bridgman法。

水平Bridgman法

水平Bridgman法其溫度梯度(坩堝軸線)方向垂直於重力場。垂直Bridgman法利於獲得圓周方向對稱的溫度場和對流模式,從而使所生長的晶體具有軸對稱的性質;而水平Bridgman法的控製係統相對簡單,並能夠在結晶界麵前沿獲得較強的對流,進行晶體生長行為控製。同時,水平Bridgman法還有利於控製爐膛與坩堝之間的對流換熱,獲得更高的溫度梯度。此外,也有人采用坩堝軸線與重力場成一定角度的傾斜Bridgman法進行晶體生長。而垂直Bridgman法也可采用從上向下生長的方式。

   




技術參數

 

 

 

 

 

 Bridgman晶體生長爐

  

小型雙溫區 立式管式爐

工作電壓:AC220V 單相

*大功率: 1.5 KW

兩個加熱區:  每個加熱區長度100 mm ,總加熱區長度200 mm L 

*高工作溫度: 1200°C

連續工作溫度: 1100°C

兩個溫區都采用PID方式調節溫度,可程序控溫,分別由2個獨立的溫控係統控製

*大溫度梯度: 0 1ºC/Cm

用戶需要探索所長晶體*合適的溫度梯度

調節兩個加熱區的溫度,來形成不同的溫度梯度

調節爐體的開啟大小,也可以改變溫度梯度

所配石英管尺寸 50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L

  

懸掛絲

鉑絲:*高可承受溫度1600

懸掛絲可穿過法蘭,若爐管內保持正壓,可在氣氛保護環境下生長晶體

對於氧敏感材料,樣品可封裝在小的石英管內 

 

 

電機和控製

 

 

 

采用6"L x 4"W的觸摸屏來控製直流電機轉動

上升和下行速度可以設置3個程序

速度範圍: 0.03-90 mm/h (可調),精度:+/- 0.05% 

可選購更**的提拉機構,速度為:0.4mm/h

總移動行程: 450mm

電機功率: 50W

產品尺寸

560mm(L) x 470mm(W) x 1235mm(H)

質量認證

CE認證

質保

一年質保期,終生維護(不包含石英,密封圈,加熱元件和懸掛絲)

淨重

105kg


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